Vishay Siliconix - SI3460DV-T1-E3

KEY Part #: K6416099

SI3460DV-T1-E3 Цэнаўтварэнне (USD) [8316шт шт]

  • 3,000 pcs$0.28626

Частка нумар:
SI3460DV-T1-E3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI3460DV-T1-E3. SI3460DV-T1-E3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3460DV-T1-E3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI3460DV-T1-E3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Obsolete
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 5.1A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 450mV @ 1mA (Min)
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 20nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±8V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.1W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 6-TSOP
Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў