ON Semiconductor - FCP099N60E

KEY Part #: K6417657

FCP099N60E Цэнаўтварэнне (USD) [37871шт шт]

  • 1 pcs$1.65378
  • 800 pcs$1.64555

Частка нумар:
FCP099N60E
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V TO220.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FCP099N60E. FCP099N60E можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCP099N60E Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FCP099N60E
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 600V TO220
Серыя : SuperFET® II
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 37A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 114nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3465pF @ 380V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 357W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220-3
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў