Nexperia USA Inc. - BUK7E2R3-40E,127

KEY Part #: K6398392

BUK7E2R3-40E,127 Цэнаўтварэнне (USD) [36530шт шт]

  • 1 pcs$1.07034
  • 10 pcs$0.96832
  • 100 pcs$0.77817
  • 500 pcs$0.60524
  • 1,000 pcs$0.50149

Частка нумар:
BUK7E2R3-40E,127
Вытворца:
Nexperia USA Inc.
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Nexperia USA Inc. BUK7E2R3-40E,127. BUK7E2R3-40E,127 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUK7E2R3-40E,127 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BUK7E2R3-40E,127
Вытворца : Nexperia USA Inc.
Апісанне : MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Серыя : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 120A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 109.2nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 8500pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 293W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : I2PAK
Пакет / футляр : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • IRLR3705ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY44N10T

    IXYS

    MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.

  • TK290A60Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS.

  • SPA04N80C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP.