Infineon Technologies - BSZ042N06NSATMA1

KEY Part #: K6419747

BSZ042N06NSATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [129043шт шт]

  • 1 pcs$0.28663
  • 5,000 pcs$0.26900

Частка нумар:
BSZ042N06NSATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - IGBT - Модулі and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BSZ042N06NSATMA1. BSZ042N06NSATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSZ042N06NSATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BSZ042N06NSATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 60V 19A 8TSDSON
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 17A (Ta), 40A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.8V @ 36µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 27nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2000pF @ 30V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TSDSON-8-FL
Пакет / футляр : 8-PowerTDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў