Частка нумар :
IRF5802TRPBF
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
150V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
900mA (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.2 Ohm @ 540mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
5.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
6.8nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
88pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2W (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
Micro6™(TSOP-6)
Пакет / футляр :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6