Частка нумар :
IPZ40N04S5L4R8ATMA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CH 8TDSON
Серыя :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
40A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2V @ 17µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
29nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1560pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
48W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-TSDSON-8
Пакет / футляр :
8-PowerVDFN