Infineon Technologies - IPP029N06NAKSA1

KEY Part #: K6398407

IPP029N06NAKSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [36530шт шт]

  • 1 pcs$1.02853
  • 10 pcs$0.92735
  • 100 pcs$0.74505
  • 500 pcs$0.57949
  • 1,000 pcs$0.48015

Частка нумар:
IPP029N06NAKSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 60V 24A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - РФ, Транзістары - IGBT - масівы and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPP029N06NAKSA1. IPP029N06NAKSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP029N06NAKSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPP029N06NAKSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 60V 24A TO220
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 24A (Ta), 100A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.8V @ 75µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 4100pF @ 30V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3W (Ta), 136W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO220-3
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • VP0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3.

  • SPA04N80C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V 4A TO220FP.

  • RCX220N25

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 22A TO220.

  • TK20A60W,S5VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS.

  • R6009ENX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 9A TO220.