Nexperia USA Inc. - BUK9620-100B,118

KEY Part #: K6415170

BUK9620-100B,118 Цэнаўтварэнне (USD) [124191шт шт]

  • 1 pcs$0.29783
  • 800 pcs$0.27963

Частка нумар:
BUK9620-100B,118
Вытворца:
Nexperia USA Inc.
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - Зэнер - Масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Тырыстары - DIAC, SIDAC and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Nexperia USA Inc. BUK9620-100B,118. BUK9620-100B,118 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUK9620-100B,118 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BUK9620-100B,118
Вытворца : Nexperia USA Inc.
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK
Серыя : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 63A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 53.4nC @ 5V
Vgs (макс.) : ±15V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 5657pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 203W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D2PAK
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVP4105A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 50V 175MA TO92-3.

  • ZVP2120A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN0540A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

  • IRFIZ48G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

  • IRFI840G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP.

  • PMN23UN,135

    NXP USA Inc.

    MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.