ON Semiconductor - FQI4N90TU

KEY Part #: K6418743

FQI4N90TU Цэнаўтварэнне (USD) [75132шт шт]

  • 1 pcs$0.56880
  • 1,000 pcs$0.56597

Частка нумар:
FQI4N90TU
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FQI4N90TU. FQI4N90TU можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQI4N90TU Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FQI4N90TU
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK
Серыя : QFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 900V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4.2A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.3 Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1100pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.13W (Ta), 140W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : I2PAK (TO-262)
Пакет / футляр : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў