STMicroelectronics - STB18N55M5

KEY Part #: K6416068

[8318шт шт]


    Частка нумар:
    STB18N55M5
    Вытворца:
    STMicroelectronics
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах STMicroelectronics STB18N55M5. STB18N55M5 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STB18N55M5 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : STB18N55M5
    Вытворца : STMicroelectronics
    Апісанне : MOSFET N-CH 550V 13A D2PAK
    Серыя : MDmesh™ V
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 550V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 16A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 192 mOhm @ 8A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 31nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±25V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1260pF @ 100V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 110W (Tc)
    Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : D2PAK
    Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IRF5803TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

    • ZVNL110A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

    • VN10LP

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

    • IRLR2905TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRLR2703TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

    • IRFR024NTRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.