Vishay Siliconix - SI7923DN-T1-GE3

KEY Part #: K6522073

SI7923DN-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [115693шт шт]

  • 1 pcs$0.31970
  • 3,000 pcs$0.28444

Частка нумар:
SI7923DN-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - РФ, Дыёды - Зэнер - Масівы and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI7923DN-T1-GE3. SI7923DN-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7923DN-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SI7923DN-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET 2P-CH 30V 4.3A 1212-8
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : 2 P-Channel (Dual)
Функцыя FET : Logic Level Gate
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 47 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 21nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -
Магутнасць - Макс : 1.3W
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : PowerPAK® 1212-8 Dual
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® 1212-8 Dual

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў