IXYS - IXTH34N65X2

KEY Part #: K6394760

IXTH34N65X2 Цэнаўтварэнне (USD) [20781шт шт]

  • 1 pcs$2.19237
  • 50 pcs$2.18146

Частка нумар:
IXTH34N65X2
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 650V 34A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - SCR, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTH34N65X2. IXTH34N65X2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH34N65X2 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTH34N65X2
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 650V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 34A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 53nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3120pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 540W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247
Пакет / футляр : TO-247-3