Toshiba Semiconductor and Storage - TPCA8031-H(TE12L,Q

KEY Part #: K6407749

[866шт шт]


    Частка нумар:
    TPCA8031-H(TE12L,Q
    Вытворца:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 30V 24A SOP-8 ADV.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Транзістары - IGBT - масівы ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Toshiba Semiconductor and Storage TPCA8031-H(TE12L,Q. TPCA8031-H(TE12L,Q можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TPCA8031-H(TE12L,Q Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : TPCA8031-H(TE12L,Q
    Вытворца : Toshiba Semiconductor and Storage
    Апісанне : MOSFET N-CH 30V 24A SOP-8 ADV
    Серыя : U-MOSV-H
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 24A (Ta)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 12A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 21nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2150pF @ 10V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.6W (Ta), 30W (Tc)
    Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SOP Advance (5x5)
    Пакет / футляр : 8-PowerVDFN

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • TPC6104(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6107(TE85L,F,M)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A.

    • TPC6006-H(TE85L,F)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A.

    • FDD6782A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 25V 20A DPAK.

    • FDD6796A

      ON Semiconductor

      MOSFET NCH 25V 20A DPAK.

    • FDD6778A

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 25V 12A DPAK.