IXYS - IXTA3N100D2

KEY Part #: K6398133

IXTA3N100D2 Цэнаўтварэнне (USD) [23380шт шт]

  • 1 pcs$1.93908
  • 10 pcs$1.73327
  • 100 pcs$1.42113
  • 500 pcs$1.09173
  • 1,000 pcs$0.92074

Частка нумар:
IXTA3N100D2
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Транзістары - IGBT - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTA3N100D2. IXTA3N100D2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA3N100D2 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTA3N100D2
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 1000V 3A D2PAK
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1000V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs (й) (Max) @ Id : -
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 37.5nC @ 5V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1020pF @ 25V
Функцыя FET : Depletion Mode
Рассейванне магутнасці (макс.) : 125W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263 (IXTA)
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • TP0604N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 430MA TO92-3.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.

  • RCX300N20

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 30A TO220.

  • TK11A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220.