Samsung Semiconductor - K4A4G165WE-BITD

KEY Part #: K7359585

[25904шт шт]


    Частка нумар:
    K4A4G165WE-BITD
    Вытворца:
    Samsung Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: MODULE, SLC Nand, GDDR5, HBM Flarebolt, LPDDR3, GDDR6, LPDDR4X and LPDDR4 ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Samsung Semiconductor K4A4G165WE-BITD. K4A4G165WE-BITD можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: info@key-components.com

    K4A4G165WE-BITD Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : K4A4G165WE-BITD
    Вытворца : Samsung Semiconductor
    Апісанне : 4 Gb 256M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
    Серыя : DDR4
    шчыльнасць : 4 Gb
    Org. : 256M x 16
    хуткасць : 2666 Mbps
    напружанне : 1.2 V
    тэмпература : -40 ~ 95 °C
    пакет : 96FBGA
    статус прадукту : Mass Production

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.