Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. DRAM
  4. DDR4
  5. K4A4G085WE-BIRC

Samsung Semiconductor - K4A4G085WE-BIRC

KEY Part #: K7359578

[25355шт шт]

    Частка нумар:
    K4A4G085WE-BIRC
    Вытворца:
    Samsung Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: GDDR5, LPDDR5, GDDR6, MODULE, DDR4, LPDDR4, LPDDR3 and SLC Nand ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Samsung Semiconductor K4A4G085WE-BIRC. K4A4G085WE-BIRC можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A4G085WE-BIRC Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : K4A4G085WE-BIRC
    Вытворца : Samsung Semiconductor
    Апісанне : 4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA
    Серыя : DDR4
    шчыльнасць : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    хуткасць : 2400 Mbps
    напружанне : 1.2 V
    тэмпература : -40 ~ 95 °C
    пакет : 78FBGA
    статус прадукту : Mass Production

    Апошнія навіны

    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    The future of NAND technology
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)
    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    Speed for the next generation of mobile devices
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

    Гарачыя часткі