Samsung Semiconductor - K4A8G085WB-BCPB

KEY Part #: K7359595

[15126шт шт]


    Частка нумар:
    K4A8G085WB-BCPB
    Вытворца:
    Samsung Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    8 Gb 1G x 8 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: DDR4, LPDDR3, LPDDR4, GDDR5, DDR3, GDDR6, HBM Aquabolt and MODULE ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Samsung Semiconductor K4A8G085WB-BCPB. K4A8G085WB-BCPB можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A8G085WB-BCPB Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : K4A8G085WB-BCPB
    Вытворца : Samsung Semiconductor
    Апісанне : 8 Gb 1G x 8 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Серыя : DDR4
    шчыльнасць : 8 Gb
    Org. : 1G x 8
    хуткасць : 2133 Mbps
    напружанне : 1.2 V
    тэмпература : 0 ~ 85 °C
    пакет : 78FBGA
    статус прадукту : Mass Production

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.