Vishay Siliconix - SI3879DV-T1-GE3

KEY Part #: K6406151

[1418шт шт]


    Частка нумар:
    SI3879DV-T1-GE3
    Вытворца:
    Vishay Siliconix
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - SCR, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SI3879DV-T1-GE3. SI3879DV-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI3879DV-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : SI3879DV-T1-GE3
    Вытворца : Vishay Siliconix
    Апісанне : MOSFET P-CH 20V 5A 6-TSOP
    Серыя : LITTLE FOOT®
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : P-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 5A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 14.5nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±12V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 480pF @ 10V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 2W (Ta), 3.3W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : 6-TSOP
    Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IXTY01N100D

      IXYS

      MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA.

    • AUIRLR3705Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • AUIRLR3410

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 17A DPAK.

    • AUIRLR2905Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • AUIRLR2703

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 20A DPAK.

    • AUIRLR2905

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.