Infineon Technologies - IRFR120ZTRPBF

KEY Part #: K6420835

IRFR120ZTRPBF Цэнаўтварэнне (USD) [266624шт шт]

  • 1 pcs$0.13873
  • 2,000 pcs$0.11897

Частка нумар:
IRFR120ZTRPBF
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - РФ and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRFR120ZTRPBF. IRFR120ZTRPBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFR120ZTRPBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRFR120ZTRPBF
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
Серыя : HEXFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 8.7A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 10nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 310pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 35W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D-Pak
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў