Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B2G0846F-BCK0

Samsung Semiconductor - K4B2G0846F-BCK0

KEY Part #: K7359649

[26738шт шт]

    Частка нумар:
    K4B2G0846F-BCK0
    Вытворца:
    Samsung Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    2 Gb 256M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: SLC Nand, DDR4, HBM Aquabolt, DDR3, GDDR5, LPDDR5, HBM Flarebolt and MODULE ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Samsung Semiconductor K4B2G0846F-BCK0. K4B2G0846F-BCK0 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B2G0846F-BCK0 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : K4B2G0846F-BCK0
    Вытворца : Samsung Semiconductor
    Апісанне : 2 Gb 256M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    Серыя : DDR3
    шчыльнасць : 2 Gb
    Org. : 256M x 8
    хуткасць : 1600 Mbps
    напружанне : 1.5 V
    тэмпература : 0 ~ 85 °C
    пакет : 78FBGA
    статус прадукту : Mass Production

    Апошнія навіны

    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    Inside the building blocks of the 5G future
    Samsung Z-SSD SZ985
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    Гарачыя часткі