Частка нумар :
PHK18NQ03LT,518
Вытворца :
Nexperia USA Inc.
Апісанне :
MOSFET N-CH 30V 20.3A 8-SOIC
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
20.3A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.15V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
10.6nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1380pF @ 12V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
6.25W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SO
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)