Vishay Siliconix - SIHA180N60E-GE3

KEY Part #: K6417105

SIHA180N60E-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [24938шт шт]

  • 1 pcs$1.65262

Частка нумар:
SIHA180N60E-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH TO-220 FULLPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - SCR, Дыёды - РФ, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Тырыстары - TRIAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIHA180N60E-GE3. SIHA180N60E-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHA180N60E-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIHA180N60E-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH TO-220 FULLPAK
Серыя : E
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 19A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1085pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 33W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220 Full Pack
Пакет / футляр : TO-220-3 Full Pack

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.

  • FQD1N80TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 1A DPAK.