IXYS - IXFE23N100

KEY Part #: K6401879

IXFE23N100 Цэнаўтварэнне (USD) [2783шт шт]

  • 1 pcs$16.34522

Частка нумар:
IXFE23N100
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - SCR, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFE23N100. IXFE23N100 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFE23N100 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFE23N100
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 1000V 21A ISOPLUS227
Серыя : HiPerFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1000V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 21A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 430 mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 7000pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 500W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-227B
Пакет / футляр : SOT-227-4, miniBLOC

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • IRFI1010NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

  • SSM3J304T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.

  • SSM3J306T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM.

  • PMN70XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP.