Частка нумар :
TK4R3E06PL,S1X
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
80A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.5V @ 500µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
48.2nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
3280pF @ 30V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
87W (Tc)
Працоўная тэмпература :
175°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-220
Пакет / футляр :
TO-220-3