Microsemi Corporation - APT10078BLLG

KEY Part #: K6396523

APT10078BLLG Цэнаўтварэнне (USD) [4255шт шт]

  • 1 pcs$11.19796
  • 10 pcs$10.35707
  • 100 pcs$8.84560

Частка нумар:
APT10078BLLG
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - IGBT - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Тырыстары - SCR - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APT10078BLLG. APT10078BLLG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT10078BLLG Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APT10078BLLG
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : MOSFET N-CH 1000V 14A TO-247
Серыя : POWER MOS 7®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1000V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 14A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 780 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 95nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2525pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 403W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247 [B]
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVN3306ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • FDD9409-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 90A TO252.

  • FDD86367-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 100A DPAK.

  • TK40A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 60A TO220SIS.

  • SI2316DS-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3.

  • FDN302P

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3.