Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя
  5. 2N7639-GA

GeneSiC Semiconductor - 2N7639-GA

KEY Part #: K6404287

2N7639-GA Цэнаўтварэнне (USD) [2064шт шт]

  • 10 pcs$146.91564
Частка нумар:
2N7639-GA
Вытворца:
GeneSiC Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
TRANS SJT 650V 15A TO-257.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor 2N7639-GA. 2N7639-GA можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

2N7639-GA Атрыбуты прадукту

Частка нумар : 2N7639-GA
Вытворца : GeneSiC Semiconductor
Апісанне : TRANS SJT 650V 15A TO-257
Серыя : -
Статус часткі : Obsolete
Тып FET : -
Тэхналогіі : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 650V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 15A (Tc) (155°C)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 15A
Vgs (й) (Max) @ Id : -
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
Vgs (макс.) : -
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1534pF @ 35V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 172W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 225°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-257
Пакет / футляр : TO-257-3
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • CPH6355-TL-H

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 30V 3A CPH6.

  • AUIRLR024Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

  • AUIRFR4292

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

  • IRFR7440PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 90A DPAK.

  • IPA50R380CE

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP.

  • IPA50R190CE

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP.

Гарачыя часткі