Частка нумар :
TPC8110(TE12L,Q,M)
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
8A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
48nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
2180pF @ 10V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1W (Ta)
Працоўная тэмпература :
150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SOP (5.5x6.0)
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)