Частка нумар :
ZXMN6A25N8TA
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
MOSFET N-CH 60V 8SO
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
4.3A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
20.4nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1063pF @ 30V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1.56W (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SO
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)