Microsemi Corporation - JAN1N6624U

KEY Part #: K6442396

[3148шт шт]


    Частка нумар:
    JAN1N6624U
    Вытворца:
    Microsemi Corporation
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - SCR, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation JAN1N6624U. JAN1N6624U можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN1N6624U Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : JAN1N6624U
    Вытворца : Microsemi Corporation
    Апісанне : DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF
    Серыя : Military, MIL-PRF-19500/585
    Статус часткі : Active
    Дыёдны тып : Standard
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 900V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.55V @ 1A
    Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 30ns
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 500nA @ 900V
    Ёмістасць @ Vr, F : -
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : SQ-MELF, A
    Пакет прылад пастаўшчыка : D-5A
    Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 150°C

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • RJU6052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

    • RJU4352SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

    • RJU3052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

    • UD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0306T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

    • STPS20M100SFP

      STMicroelectronics

      DIODE SCHOTTKY 100V 20A TO220FP.