Renesas Electronics America - RJU4352SDPD-E0#J2

KEY Part #: K6442361

[3159шт шт]


    Частка нумар:
    RJU4352SDPD-E0#J2
    Вытворца:
    Renesas Electronics America
    Падрабязнае апісанне:
    DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Renesas Electronics America RJU4352SDPD-E0#J2. RJU4352SDPD-E0#J2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    RJU4352SDPD-E0#J2 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : RJU4352SDPD-E0#J2
    Вытворца : Renesas Electronics America
    Апісанне : DIODE GEN PURP 430V 20A TO252
    Серыя : -
    Статус часткі : Last Time Buy
    Дыёдны тып : Standard
    Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 430V
    Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 20A
    Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.8V @ 20A
    Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 25ns
    Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 1µA @ 430V
    Ёмістасць @ Vr, F : -
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Пакет прылад пастаўшчыка : TO-252
    Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 150°C

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • RJU6052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

    • RJU4352SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

    • RJU3052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

    • UD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0306T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

    • CMDD6001 BK

      Central Semiconductor Corp

      DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA