Cree/Wolfspeed - C2M1000170D

KEY Part #: K6417063

C2M1000170D Цэнаўтварэнне (USD) [16942шт шт]

  • 1 pcs$2.43266

Частка нумар:
C2M1000170D
Вытворца:
Cree/Wolfspeed
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - SCR, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Cree/Wolfspeed C2M1000170D. C2M1000170D можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

C2M1000170D Атрыбуты прадукту

Частка нумар : C2M1000170D
Вытворца : Cree/Wolfspeed
Апісанне : MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247
Серыя : Z-FET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : SiCFET (Silicon Carbide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1700V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4.9A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 2A, 20V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.4V @ 100µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 13nC @ 20V
Vgs (макс.) : +25V, -10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 191pF @ 1000V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 69W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247-3
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.