Infineon Technologies - SPB02N60C3ATMA1

KEY Part #: K6413918

[8392шт шт]


    Частка нумар:
    SPB02N60C3ATMA1
    Вытворца:
    Infineon Technologies
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - DIAC, SIDAC, Модулі драйвераў харчавання and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies SPB02N60C3ATMA1. SPB02N60C3ATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPB02N60C3ATMA1 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : SPB02N60C3ATMA1
    Вытворца : Infineon Technologies
    Апісанне : MOSFET N-CH 650V 1.8A D2PAK
    Серыя : CoolMOS™
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 650V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 1.8A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 1.1A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 3.9V @ 80µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 12.5nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 200pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 25W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO263-3-2
    Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IRF5803TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

    • IRF5802

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 900MA 6TSOP.

    • ZVN4206AVSTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

    • ZVN3310ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

    • IRLR9343PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 20A DPAK.

    • IRFR4104TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.