Infineon Technologies - IRF5806TRPBF

KEY Part #: K6421387

IRF5806TRPBF Цэнаўтварэнне (USD) [504158шт шт]

  • 1 pcs$0.07337
  • 3,000 pcs$0.07040

Частка нумар:
IRF5806TRPBF
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - JFET and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IRF5806TRPBF. IRF5806TRPBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF5806TRPBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRF5806TRPBF
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
Серыя : HEXFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 86 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 11.4nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 594pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : Micro6™(TSOP-6)
Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў