D850N40TXPSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [572шт шт]
- 1 pcs$81.15796
- Частка нумар:
- D850N40TXPSA1
- Вытворца:
- Infineon Technologies
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 4KV 850A.
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - РФ, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies D850N40TXPSA1. D850N40TXPSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
D850N40TXPSA1 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
D850N40TXPSA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
DIODE GEN PURP 4KV 850A
Серыя :
-
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
4000V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
850A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.28V @ 850A
Хуткасць :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
-
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
50mA @ 4000V
Ёмістасць @ Vr, F :
-
Тып мантажу :
Chassis Mount
Пакет / футляр :
DO-200AB, B-PUK
Пакет прылад пастаўшчыка :
-
Працоўная тэмпература - развязка :
-40°C ~ 160°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
1SS307(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching diode, 30V 3 pins, S-Mini 0.1A
-
SB220-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 20V 2A DO204AC. Schottky Diodes & Rectifiers 20 Volt 2.0 Amp 60 Amp IFSM
-
V12PM12HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 4.1A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12A, 120V, SMPC, TRENCH SKY RECT.
-
AR3PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 400V 1.8A TO277A. Rectifiers 3A,400V,Fast RecoveryAvalanche SM
-
V15P8HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 80V 15A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 15A, 80V, SMPC AEC-Q101 Qualified
-
SS10PH10HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A 100V SM Schottky Rect
Гарачыя часткі
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18