GL41J-E3/97 Цэнаўтварэнне (USD) [1025340шт шт]
- 1 pcs$0.03807
- 10,000 pcs$0.03788
- Частка нумар:
- GL41J-E3/97
- Вытворца:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Падрабязнае апісанне:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 600 Volt 30 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- У наяўнасці
- Тэрмін прыдатнасці:
- Адзін год
- Фішка ад:
- Ганконг
- RoHS:
- Спосаб аплаты:
-
- Адгрузка спосабам:
- Катэгорыі сям'і:
- KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
- Канкурэнтная перавага:
- Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division GL41J-E3/97. GL41J-E3/97 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GL41J-E3/97 Атрыбуты прадукту
Частка нумар :
GL41J-E3/97
Вытворца :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB
Серыя :
SUPERECTIFIER®
Статус часткі :
Active
Дыёдны тып :
Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) :
600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) :
1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі :
1.1V @ 1A
Хуткасць :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) :
-
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr :
10µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F :
8pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
DO-213AB, MELF (Glass)
Пакет прылад пастаўшчыка :
DO-213AB
Працоўная тэмпература - развязка :
-65°C ~ 175°C
Апошнія навіны
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
-
1SS250(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High
-
SE20AFB-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 Volts ESD PROTECTION
-
SE20AFD-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 200 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFB-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in
-
SE20AFG-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in
-
S1M-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt
Гарачыя часткі
- BAT46WJ/DG/B2,115
- D121K20BXPSA1
- SB530-A
- 1N4002-N-0-2-BP
- VS-20TQ035STRLPBF
- RY2A
- VS-HFA16TB120STRRP
- GKR26/14
- DSK10C
- 1N3901
- AS3PGHM3/86A
- BYS459-1500-E3/45
- US1BHE3/61T
- ESH3BHE3/57T
- GP10M-4007E-M3/73
- BYM07-50HE3/98
- MBRB10H60HE3/81
- GI810-E3/54
- FGP10B-E3/54
- BYS10-25HE3/TR3
- EGP50DHE3/73
- CDBA120-G
- FFPF04F150STU
- VS-8TQ080PBF
- SD101CWS-7
- B0540W-7
- 6A8
- 301U80
- B140S1F-7
- CCS15S30,L3QUF
- STPSC40065CWY
- HER104-TP
- 2A06-AP
- UGB8BTHE3/81
- S10CKHM3/I
- ES2FHE3_A/I
- MURS240-E3/5BT
- 1N6484HE3/96
- GP10-4005E-E3/73
- RS3B M6G