Infineon Technologies - IPI120N06S4H1AKSA1

KEY Part #: K6406657

[1243шт шт]


    Частка нумар:
    IPI120N06S4H1AKSA1
    Вытворца:
    Infineon Technologies
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Тырыстары - SCR ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPI120N06S4H1AKSA1. IPI120N06S4H1AKSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPI120N06S4H1AKSA1 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : IPI120N06S4H1AKSA1
    Вытворца : Infineon Technologies
    Апісанне : MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
    Серыя : OptiMOS™
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 120A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 100A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 200µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 270nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 21900pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 250W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO262-3-1
    Пакет / футляр : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • TK40P04M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.

    • TK40P03M1(T6RSS-Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A.

    • NDF08N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP.

    • NDF05N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V TO-220FP.

    • TP0610K-T1

      Vishay Siliconix

      MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23.

    • 2N7002E

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23.