Vishay Siliconix - SIS434DN-T1-GE3

KEY Part #: K6393365

SIS434DN-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [203660шт шт]

  • 1 pcs$0.18161
  • 3,000 pcs$0.17054

Частка нумар:
SIS434DN-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIS434DN-T1-GE3. SIS434DN-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS434DN-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIS434DN-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 35A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7.6 mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1530pF @ 20V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® 1212-8
Пакет / футляр : PowerPAK® 1212-8