Infineon Technologies - IPN60R1K5CEATMA1

KEY Part #: K6421206

IPN60R1K5CEATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [392303шт шт]

  • 1 pcs$0.09428
  • 3,000 pcs$0.07782

Частка нумар:
IPN60R1K5CEATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
CONSUMER.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - JFET, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - Модулі and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPN60R1K5CEATMA1. IPN60R1K5CEATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPN60R1K5CEATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPN60R1K5CEATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : CONSUMER
Серыя : CoolMOS™ CE
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 90µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 9.4nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 200pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 5W (Tc)
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-SOT223
Пакет / футляр : SOT-223-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў