Частка нумар :
BSC027N06LS5ATMA1
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
100A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.3V @ 49µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
30nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
4400pF @ 30V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
83W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-TDSON-8
Пакет / футляр :
8-PowerTDFN