IXYS - IXFB38N100Q2

KEY Part #: K6393703

IXFB38N100Q2 Цэнаўтварэнне (USD) [2716шт шт]

  • 1 pcs$17.62712
  • 25 pcs$17.53943

Частка нумар:
IXFB38N100Q2
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFB38N100Q2. IXFB38N100Q2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFB38N100Q2 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFB38N100Q2
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 1000V 38A PLUS264
Серыя : HiPerFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1000V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 38A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5.5V @ 8mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 13500pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 890W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PLUS264™
Пакет / футляр : TO-264-3, TO-264AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FDD4243

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK.

  • FCD5N60-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • IXTY02N50D

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK.

  • FDD4141

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK.

  • FDD770N15A

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 150V 18A DPAK.

  • IRFIBC40G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220FP.