IXYS - IXTH1N100

KEY Part #: K6417037

IXTH1N100 Цэнаўтварэнне (USD) [23749шт шт]

  • 1 pcs$2.00547
  • 30 pcs$1.99549

Частка нумар:
IXTH1N100
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - Модулі and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTH1N100. IXTH1N100 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH1N100 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTH1N100
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1000V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 1.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 25µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 480pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 60W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247 (IXTH)
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • FDD4685

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 8.4A DPAK.