Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET P-CH 12V 10A 8-TSSOP
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
12V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
10A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
100nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
5050pF @ 10V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1.5W (Ta)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-TSSOP
Пакет / футляр :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)