Vishay Siliconix - IRLL014TRPBF

KEY Part #: K6416931

IRLL014TRPBF Цэнаўтварэнне (USD) [275873шт шт]

  • 1 pcs$0.13407
  • 2,500 pcs$0.11355

Частка нумар:
IRLL014TRPBF
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix IRLL014TRPBF. IRLL014TRPBF можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRLL014TRPBF Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRLL014TRPBF
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2.7A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 200 mOhm @ 1.6A, 5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 8.4nC @ 5V
Vgs (макс.) : ±10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 400pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-223
Пакет / футляр : TO-261-4, TO-261AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • IPA65R150CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220.