Taiwan Semiconductor Corporation - S1ML RHG

KEY Part #: K6437437

S1ML RHG Цэнаўтварэнне (USD) [2523513шт шт]

  • 1 pcs$0.01466

Частка нумар:
S1ML RHG
Вытворца:
Taiwan Semiconductor Corporation
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - Зэнер - Масівы, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Модулі драйвераў харчавання and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Taiwan Semiconductor Corporation S1ML RHG. S1ML RHG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1ML RHG Атрыбуты прадукту

Частка нумар : S1ML RHG
Вытворца : Taiwan Semiconductor Corporation
Апісанне : DIODE GEN PURP 1000V 1A SUB SMA
Серыя : -
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : -
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 1A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 1.8µs
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 1000V
Ёмістасць @ Vr, F : 9pF @ 4V, 1MHz
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-219AB
Пакет прылад пастаўшчыка : Sub SMA
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • MSC010SDA070K

    Microsemi Corporation

    DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers 700 V, 10 A SiC SBD

  • GL34G/1

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

  • VB30100S-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,100V,TRENCH SKY RECT.

  • VB30120S-E3/8W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS

  • NSB8AT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM

  • NSB8JT-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM