Infineon Technologies - IPD230N06NGBTMA1

KEY Part #: K6409871

[132шт шт]


    Частка нумар:
    IPD230N06NGBTMA1
    Вытворца:
    Infineon Technologies
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 60V 30A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPD230N06NGBTMA1. IPD230N06NGBTMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPD230N06NGBTMA1 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : IPD230N06NGBTMA1
    Вытворца : Infineon Technologies
    Апісанне : MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
    Серыя : OptiMOS™
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 30A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 50µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 31nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1100pF @ 30V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 100W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO252-3
    Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • PSMN2R2-40PS,127

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

    • BSS84P E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.

    • BSS169 E6906

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.

    • BSS169 E6327

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.

    • BSS159N E6906

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23.

    • BSS159N E6327

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23.