Infineon Technologies - IPB65R125C7ATMA2

KEY Part #: K6417659

IPB65R125C7ATMA2 Цэнаўтварэнне (USD) [37960шт шт]

  • 1 pcs$1.03001

Частка нумар:
IPB65R125C7ATMA2
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Тырыстары - SCR ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPB65R125C7ATMA2. IPB65R125C7ATMA2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB65R125C7ATMA2 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPB65R125C7ATMA2
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH TO263-3
Серыя : CoolMOS™ C7
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 650V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 18A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 440µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 35nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1670pF @ 400V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 101W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO263-3
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў