Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Калі ваша месцазнаходжанне няма ў спісе, выберыце адно з наступных:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Дадому
  2. Прадукты
  3. Дыскрэтныя паўправадніковыя вырабы
  4. Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы
  5. APTM100H35FT3G

Microsemi Corporation - APTM100H35FT3G

KEY Part #: K6522678

APTM100H35FT3G Цэнаўтварэнне (USD) [934шт шт]

  • 1 pcs$50.00678
  • 100 pcs$49.75799
Частка нумар:
APTM100H35FT3G
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Тырыстары - TRIAC, Тырыстары - SCR, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APTM100H35FT3G. APTM100H35FT3G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100H35FT3G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APTM100H35FT3G
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : 4 N-Channel (H-Bridge)
Функцыя FET : Standard
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1000V (1kV)
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 186nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 5200pF @ 25V
Магутнасць - Макс : 390W
Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет / футляр : SP3
Пакет прылад пастаўшчыка : SP3

Апошнія навіны

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • SI3585CDV-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP.

  • FDG6332C-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC70-6.

  • FDG8842CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6.

  • FDG6308P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6.

  • FDG6317NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6.

  • FDG8850NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC70-6.

Гарачыя часткі