Rohm Semiconductor - RSM002P03T2L

KEY Part #: K6392898

RSM002P03T2L Цэнаўтварэнне (USD) [708763шт шт]

  • 1 pcs$0.05769
  • 8,000 pcs$0.05741

Частка нумар:
RSM002P03T2L
Вытворца:
Rohm Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Тырыстары - SCR, Дыёды - РФ and Модулі драйвераў харчавання ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor RSM002P03T2L. RSM002P03T2L можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RSM002P03T2L Атрыбуты прадукту

Частка нумар : RSM002P03T2L
Вытворца : Rohm Semiconductor
Апісанне : MOSFET P-CH 30V 200MA VMT3
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 200mA (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 30pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 150mW (Ta)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : VMT3
Пакет / футляр : SOT-723

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў