Vishay Siliconix - SQD40P10-40L_GE3

KEY Part #: K6418605

SQD40P10-40L_GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [69974шт шт]

  • 1 pcs$0.55879
  • 2,000 pcs$0.50291

Частка нумар:
SQD40P10-40L_GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CHAN 100V TO252.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - TRIAC, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя and Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SQD40P10-40L_GE3. SQD40P10-40L_GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD40P10-40L_GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SQD40P10-40L_GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET P-CHAN 100V TO252
Серыя : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 38A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 144nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 5540pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 136W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-252AA
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IXTY01N80

    IXYS

    MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA.

  • IRFR1018ETRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 56A DPAK.

  • IXTU5N50P

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 4.8A TO-252.

  • FDD8896

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IXTY24N15T

    IXYS

    MOSFET N-CH 150V 24A TO-252.

  • IXTY15N20T

    IXYS

    MOSFET N-CH 200V 15A TO-252.