Vishay Semiconductor Diodes Division - GF1B-E3/5CA

KEY Part #: K6453008

GF1B-E3/5CA Цэнаўтварэнне (USD) [716638шт шт]

  • 1 pcs$0.05446
  • 6,500 pcs$0.05419

Частка нумар:
GF1B-E3/5CA
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA. Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - масівы, Тырыстары - SCR, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division GF1B-E3/5CA. GF1B-E3/5CA можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GF1B-E3/5CA Атрыбуты прадукту

Частка нумар : GF1B-E3/5CA
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Серыя : SUPERECTIFIER®
Статус часткі : Active
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 100V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 1A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 1.1V @ 1A
Хуткасць : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 2µs
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 100V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : DO-214BA
Пакет прылад пастаўшчыка : DO-214BA (GF1)
Працоўная тэмпература - развязка : -65°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • C3D10065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 32A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 650V, 10A

  • VS-HFA08SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V Ultrafast 18ns HEXFRED

  • VS-50WQ10FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-HFA04SD60STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A DPAK.

  • VS-10WQ045FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • GSD2004W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns